凸块缓冲封装结构和凸块缓冲封装结构的制备方法

摘要

本发明的实施例提供了一种凸块缓冲封装结构和凸块缓冲封装结构的制备方法，涉及半导体封装技术领域，凸块缓冲封装结构，包括基底晶圆、钝化层、第一介电层、线路层、导电凸起和第二介电层，通过在第一介电层中设置金属缓冲结构，且金属缓冲结构包括分布在导电凸起下方的多个第一金属块，多个第一金属块间隔设置且均贯穿第一介电层，每个第一金属块分别与线路层和钝化层接触，通过设置多个第一金属块，能够有效地缓冲导电凸起底部产生的应力，能够有效实现应力释放，避免应力引起的产品性能下降甚至失效的问题。同时能够提升第一介电层的导热能力，从而能够将内部的热量更加有效地传递至外部，从而提升封装结构的散热性。