形成绝缘体上III/V族上锗结构的方法

摘要

一种形成绝缘体上III/V族上锗结构的方法。本发明涉及形成绝缘体上半导体结构(10)的方法，所述绝缘体上半导体结构(10)包括III/V族材料的半导体层(3)，其特征在于，该方法包括以下步骤：(a)在施主基板(1)上生长松弛锗层(2)；(b)在锗层(2)上生长至少一个III/V族材料层(3)；(c)在松弛锗层(2)中形成解理面(6)；(d)将施主基板(1)的解理部分转移到支撑基板(4)，该解理部分是施主基板(1)在解理面(6)处解理的、包括至少一个III/V族材料层(3)的部分。本发明还涉及绝缘体上III/V族上锗结构、NFET晶体管、制造NFET晶体管的方法、PFET晶体管和制造PFET晶体管的方法。