公开/公告号CN103137667B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-10-14
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;
申请/专利号CN201110396915.5
申请日2011-12-02
分类号
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人丁纪铁
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
入库时间 2022-08-23 09:30:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-10-14
授权
授权
2014-02-12
专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L29/41 变更前: 变更后: 登记生效日:20140116 申请日:20111202
专利申请权、专利权的转移
2013-07-10
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/41 申请日:20111202
实质审查的生效
2013-06-05
公开
公开
机译: 自对准硅化物MOS器件和单侧自对准硅化物MOS器件及其同时制造方法
机译: 自对准硅化物MOS器件和单侧自对准硅化物MOS器件及其同时制造方法
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