一种可消除硅锥现象影响的双硬掩膜CMP工艺

摘要

本发明是一种可消除硅锥现象影响的双硬掩膜CMP工艺。浅槽隔离技术(STI)是随着深亚微米集成电路技术的发展，而产生的一种新兴的场区隔离技术。该技术具有特征尺寸小、集成度高、隔离效果好的特点。但是，该技术同时存在工艺复杂、控制困难的问题，其中较为突出的是在CMP工艺中的Dishing和Erosion的问题。为此开发的场保护硬掩膜工艺，有效地解决了这两个问题。然而，又出现新的问题，就是在刻蚀工艺步骤中，产生硅锥现象，由于硬掩膜的保护使CMP工艺无法有效修正。本发明提出采用带有假结构的硬掩膜的方法，在不损失硬掩膜的保护作用的条件下，提高对硅锥现象的修正。