法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-09-16
授权
授权
2013-10-16
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/20 申请日:20130531
实质审查的生效
2013-09-11
公开
公开
机译: 半导体,外延生长在不同晶格常数的衬底上,并应用于多种半导体器件。
机译: 由锌混合型(也称为“立方晶型”)形成的母晶体中含有纳米点(也称为“量子点”)的活性区域AlyInxGal-y-xN晶体(y [[□]] [≧ [0,x> 0)生长在Si衬底上,以及使用该衬底的发光器件(LED和LD)
机译: GaN半导体衬底和通过外延生长在GaN半导体衬底上制造的半导体器件