AI写作工具
文献服务
退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN102543154B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-09-09
原文格式PDF
申请/专利权人 美光科技公司;
申请/专利号CN201110370037.X
发明设计人 费代里科·皮奥;
申请日2011-11-15
分类号G11C7/22(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人宋献涛
地址 美国爱达荷州
入库时间 2022-08-23 09:29:06
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-09-09
授权
2012-09-05
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 7/22 申请日:20111115
实质审查的生效
2012-07-04
公开
机译: 使用包含参数的存储器指令来影响存储器的工作条件的方法
机译: 存储器指令,包括用于影响存储器的操作状态的参数
机译:ZnO电荷陷阱层对嵌入式存储器电路应用中存储器晶体管操作的区域几何影响
机译:45nm RESET态相变存储器件中的$hbox{1}/f$噪声:表征、对存储器读出操作的影响和缩放视角
机译:集成专用存储器控制器及其指令集,以提高包含计算SRAM的系统的性能
机译:指令布局优化与指令存储器层次结构的相互影响
机译:非易失性存储器与易失性存储器的集成,用于嵌入式存储器体系结构和信号处理应用