锗硅BiCMOS工艺中的齐纳二极管及制造方法

摘要

本发明公开了一种锗硅BiCMOS工艺中的齐纳二极管，N区由形成于有源区中并被N型深阱包覆；在有源区两侧的浅槽场氧底部形成有赝埋层，N区通过N型深阱和赝埋层相连接。N区的电极通过形成于赝埋层顶部的浅槽场氧中的深孔接触引出。P区由形成于有源区中的一P型离子注入区组成，P区位于N区的顶部并和N区相接触且P区的掺杂浓度大于所述N区的掺杂浓度；P区的电极通过形成于有源区顶部的金属接触引出。本发明还公开了一种锗硅BiCMOS工艺中的齐纳二极管的制造方法。本发明能与锗硅BiCMOS工艺完全集成，能为锗硅BiCMOS的电路设计提供一种稳压器件。