氮化铝和氧化铝/氮化铝栅介质叠层场效应晶体管及形成方法

摘要

本发明公开了一种结构(例如，场效应晶体管)和制作该结构的方法，该结构包括具有源区，漏区和这两者之间的沟道区的衬底，该结构还包括配置在沟道区上的绝缘层，和配置在绝缘层上的栅极，该绝缘层包括一个层，该层包括配置在沟道区上的氮化铝。