首页> 中国专利> 一种硅烷化处理的脱一氧化碳催化剂、制法及应用

一种硅烷化处理的脱一氧化碳催化剂、制法及应用

摘要

本发明公开了一种硅烷化处理的脱一氧化碳催化剂、制法及应用。所述脱一氧化碳催化剂中硅烷基团的含量为催化剂总重的0.05wt%-15wt%;所述脱一氧化碳催化剂为氧化铜系催化剂。制备方法包括:硅烷基团是甲硅烷基剂通过甲硅烷基化法嫁接入氧化铜系催化剂。嫁接在液相溶剂中进行,嫁接温度为30℃-180℃;或甲硅烷基剂在载气的携带下或将甲硅烷基剂加热为蒸汽后与催化剂进行反应,嫁接温度为60℃-280℃。本发明所述的催化剂在有微量水存在的情况下,催化剂活性不受影响,仍可深度脱除一氧化碳。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-07-22

    授权

    授权

  • 2012-12-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):B01J 23/80 申请日:20110402

    实质审查的生效

  • 2012-10-17

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号