首页> 中国专利> 超低摩擦硅铝二元掺杂非晶碳薄膜的制备方法

超低摩擦硅铝二元掺杂非晶碳薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种利用射频磁控溅射物理气相沉积技术来制备硅铝二元掺杂非晶碳薄膜的方法。超低摩擦硅铝二元掺杂非晶碳薄膜具有9-15GPa的纳米硬度,优异的摩擦学性能,最低摩擦系数达到0.0083,持续处于超低摩擦系数的往复次数长达18000次。薄膜均匀致密,与基底材料的结合牢固,耐磨性好,能广泛用于磁存储光盘,微电子机械系统(MEMS)及汽车零部件等领域。

著录项

  • 公开/公告号CN103160779B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-07-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院兰州化学物理研究所;

    申请/专利号CN201110425150.3

  • 发明设计人 郝俊英;刘小强;

    申请日2011-12-16

  • 分类号

  • 代理机构兰州中科华西专利代理有限公司;

  • 代理人方晓佳

  • 地址 730000 甘肃省兰州市城关区天水中路18号

  • 入库时间 2022-08-23 09:27:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-07-08

    授权

    授权

  • 2013-07-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/06 申请日:20111216

    实质审查的生效

  • 2013-06-19

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号