一种铝/铁掺杂非晶碳膜/铝纳米薄膜记忆电阻存储器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种铝/铁掺杂非晶碳膜/铝纳米薄膜记忆电阻存储器件及制备方法。该方法以石英玻璃基片作为衬底，采用脉冲激光沉积法制备铁掺杂的非晶碳膜，再采用真空热蒸发法在该碳膜上蒸镀两个铝层作为电极,并连接电压触发器，制备成本器件。本器件在室温下，存在高低两种电阻态，电阻开关现象极为明显，可通过简单的脉冲电压进行写入，通过检测电阻态实现读取。具有读写速度快、可重复性强，结构简单、稳定、耐振动，工艺简洁、环保无污染，原材料价格低廉，易回收重复利用等优越性。