公开/公告号CN102246307B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-07-15
原文格式PDF
申请/专利权人 飞兆半导体公司;
申请/专利号CN200980149200.0
申请日2009-11-25
分类号
代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司;
代理人李丙林
地址 美国缅因州
入库时间 2022-08-23 09:27:31
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-07-15
授权
授权
2012-02-01
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20091125
实质审查的生效
2011-11-16
公开
公开
机译: 具有增加的击穿电压特性的基于沟槽的功率半导体器件
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