降低N型掺杂和非掺杂多晶硅栅极刻蚀后形貌差异的方法

摘要

本发明提供降低N型掺杂和非掺杂多晶硅栅极刻蚀后形貌差异的方法，包括以下顺序步骤：在具有N型掺杂多晶硅和非掺杂多晶硅的衬底板上沉积一层硬掩膜层，分别形成N型掺杂多晶硅硬掩膜层和非掺杂多晶硅硬掩膜层，对非掺杂多晶硅硬掩膜层进行刻蚀使得其厚度小于N型掺杂多晶硅硬掩膜层。在不同厚度的N型掺杂多晶硅硬掩膜层和非掺杂多晶硅硬掩膜层上沉积一防反射层，对整个器件进行预设定图案进行刻蚀，刻蚀至露出N型掺杂多晶硅为止。去除刻蚀过程留下在器件表面的残留物，后对器件进行刻蚀分别形成N型掺杂多晶硅栅极和非掺杂多晶硅栅极。