法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-05-20
授权
授权
2014-05-14
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20131231
实质审查的生效
2014-05-14
著录事项变更 IPC(主分类):H01L 29/78 变更前: 变更后: 申请日:20131231
著录事项变更
2014-04-16
公开
公开
机译: 双轴应变SOI衬底中的应变转换,以增强P沟道和N沟道晶体管的性能
机译: 用于车辆的电源设备具有N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管,以基于来自由另一个电池驱动的开关电路的控制信号来执行电池到负载的切换
机译: 通过Si衬底上的分子束外延形成的Sigesn虚拟基板,用于GESN的应变生长