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机译:拉伸应变对应变Si n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管栅极电流的影响
Graduate School of Frontier Science, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan;
strain; gate current; barrier height; MOSFETs; fowler-nordheim tunneling;
机译:应变引起的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极泄漏电流变化
机译:机械拉伸应变引起的栅极和衬底电流在n沟道和p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中发生变化
机译:热载流子对高k /金属栅极n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中栅极感应的漏极泄漏电流的影响
机译:用于N沟道镓砷化物金属氧化物 - 半导体场效应晶体管的原位表面钝化和金属栅/高k电介质叠层形成
机译:应变对硅CMOS晶体管的影响:阈值电压,栅极隧穿电流和1 / f噪声特性。
机译:基于GaMnAs的垂直自旋金属氧化物半导体场效应晶体管中的侧栅电场引起的大电流调制和隧穿磁阻变化
机译:具有ZrO2栅极电介质的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的正偏置温度不稳定性
机译:在蓝宝石上的500 a薄膜硅中制造具有0.2微米栅极长度的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。 (重新公布新的可用性信息)