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一种具有高深宽比梳齿间隙硅微惯性器件的制备方法

摘要

一种具有高深宽比梳齿间隙硅微惯性器件的制备方法,涉及微惯性器件。提供简单、可保证电学特性且成本低的一种具有高深宽比梳齿间隙硅微惯性器件的制备方法。加工梳状结构的硅微惯性器件半成品主体结构;加工与硅微惯性器件半成品主体结构配合的带凹槽的封装盖;制备高深宽比的梳齿间隙;制备硅微惯性器件成品。先将原本的固定梁制备成悬浮梁,然后通过施加反向电压,在静电吸合的作用下,使悬浮梁移动定位,自热形成高深宽比梳齿间隙。简单易操作,而且加工中所需的刻蚀、键合等工艺已非常成熟,不需要高精密的刻蚀仪器或者繁杂的沉积方法就可以获得高深宽比的梳齿间隙,而且因为不需要重复刻蚀等步骤,梳齿间隙的均匀性可以很好地保证。

著录项

  • 公开/公告号CN103145093B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-04-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 厦门大学;

    申请/专利号CN201310085087.2

  • 申请日2013-03-18

  • 分类号

  • 代理机构厦门南强之路专利事务所(普通合伙);

  • 代理人刘勇

  • 地址 361005 福建省厦门市思明南路422号

  • 入库时间 2022-08-23 09:25:11

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-04-08

    授权

    授权

  • 2013-07-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):B81C 1/00 申请日:20130318

    实质审查的生效

  • 2013-06-12

    公开

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