快速热处理中控制晶片温度的方法及其快速热处理方法

摘要

本发明提供一种快速热处理（RTP）中控制晶片温度的方法及其RTP方法，属于半导体芯片制造技术领域。该控制晶片温度的方法中，根据晶片的背面材料差异，选择相应的控温曲线来控制所述晶片的温度；其中，所述控温曲线通过背面材料不同的试验晶片分别预先试验得到。该RTP方法中使用以上所述的控制晶片温度的方法来实现。该方法可以实现不同半导体制造流程节点处的晶片的RTP温度能精确控制，并且成本低。