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公开/公告号CN102473628B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-03-25
原文格式PDF
申请/专利权人 诺发系统有限公司;
申请/专利号CN201080034653.1
发明设计人 史蒂文·T·迈尔;埃里克·韦布;戴维·W·波特;
申请日2010-07-27
分类号
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人沈锦华
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 09:24:26
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-03-25
授权
2012-08-29
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/306 申请日:20100727
实质审查的生效
2012-05-23
公开
机译: 用于制造半导体器件的湿蚀刻系统和使用该湿蚀刻系统的湿蚀刻方法
机译: 用于半导体器件制造的湿蚀刻设备以及湿蚀刻设备中的蚀刻溶液循环方法
机译:机械抛光和大气压等离子体蚀刻相结合的高效平面化方法,用于难以加工的半导体衬底
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机译:一种图像处理方法,用于使用移动物体从监视摄像机图像中移除雪
机译:研究磷酸基电解质中的铜电抛光及其在ULSI铜晶圆平面化中的应用。
机译:聚合物/富勒烯共混膜的选择性湿蚀刻用于表面和纳米形态控制的有机晶体管和灵敏度增强的气体传感器
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