垂直磁记录介质的中间层膜制备用的溅射靶材料和通过使用其制备的薄膜

摘要

本发明公开一种用于制备垂直磁记录介质的中间层膜的溅射靶材料，其能够显著减小通过溅射形成的薄膜的晶粒尺寸。所述溅射靶材料以原子％计包含1至20％的W；总计0.1至10％的P、Zr、Si和B组成的组一种或多种选自由P、Zr、Si和B组成的组中的元素；和余量的Ni。