用于互补双极工艺的全介质隔离SOI材料片的制造方法

摘要

一种用于互补双极工艺的全介质隔离SOI材料片的制造方法，步骤包括在单晶硅圆片一上制作N型埋层和P型埋层；在单晶硅圆片一上进行深槽刻蚀、牺牲层氧化、沟阻氧化、淀积填槽多晶硅及CMP多晶硅，形成介质隔离区；在单晶硅圆片二上生长埋氧层；对已形成介质隔离区的所述单晶硅圆片一与已形成埋氧层的所述单晶硅圆片二进行正面硅硅键合，形成SOI硅材料片；对单晶硅圆片一那面的衬底进行减薄、CMP精抛光，最终形成所述的用于互补双极工艺的全介质隔离SOI材料片。本发明方法具有制作成本低、有源层缺陷少、有源层参数一致性好、无图形漂移等特点，可广泛用于全介质隔离互补双极工艺的制造领域。