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全介质隔离互补双极工艺技术研究

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本文综合运用硅硅键合、深槽刻蚀、多晶硅回填、化学机械抛光和离子注入技术,进行了介质隔离互补双极工艺技术研究,实现了纵向PNP、NPN以及横向PNP双极晶体管的SOI单片集成,其中纵向PNP、纵向NPN和横向PNP的耐压分别为25V、35V和35V,电流增益分别为30、180和25.

著录项

来源
《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》|2005年|5-10|共6页
会议地点北京
作者
张正元; 中国电子科技集团公司第24研究所重庆; 胡明雨; 税国华; 中国电子科技集团公司第24研究所重庆; 刘玉奎; 中国电子科技集团公司第24研究所重庆;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体集成电路（固体电路）;制造工艺;
关键词
集成电路; SOI; 全介质隔离; 互补双极工艺;

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