首页> 中国专利> 在沿<1100>方向切割的基片上生长的碳化硅外延层

在沿<1100>方向切割的基片上生长的碳化硅外延层

摘要

一种碳化硅外延膜,其生长在六方晶体形式的SiC晶体基片的切割表面上,该切割面沿<1100>基片晶向约6度到约10度的切割角。所得的碳化硅外延膜具有优良的形态和材料性能。

著录项

  • 公开/公告号CN1164417C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2004-09-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 高级技术材料公司;

    申请/专利号CN00809431.4

  • 申请日2000-06-01

  • 分类号B32B7/00;B32B9/00;B32B18/00;C03B25/02;C01B31/36;

  • 代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人林潮;王维玉

  • 地址 美国康涅狄格州

  • 入库时间 2022-08-23 08:56:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-26

    专利权有效期届满 IPC(主分类):B32B7/00 授权公告日:20040901 申请日:20000601

    专利权的终止

  • 2004-12-08

    专利申请权、专利权的转移专利权的转移 变更前: 变更后: 登记生效日:20041029 申请日:20000601

    专利申请权、专利权的转移专利权的转移

  • 2004-12-08

    专利申请权、专利权的转移专利权的转移 变更前: 变更后: 登记生效日:20041029 申请日:20000601

    专利申请权、专利权的转移专利权的转移

  • 2004-12-08

    专利申请权、专利权的转移专利权的转移 变更前: 变更后: 登记生效日:20041029 申请日:20000601

    专利申请权、专利权的转移专利权的转移

  • 2004-12-08

    专利申请权、专利权的转移专利权的转移 变更前: 变更后: 登记生效日:20041029 申请日:20000601

    专利申请权、专利权的转移专利权的转移

  • 2004-09-01

    授权

    授权

  • 2004-09-01

    授权

    授权

  • 2004-09-01

    授权

    授权

  • 2003-01-15

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-01-15

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-01-15

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2002-10-30

    公开

    公开

  • 2002-10-30

    公开

    公开

  • 2002-10-30

    公开

    公开

  • 2002-10-09

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2002-10-09

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2002-10-09

    实质审查的生效

    实质审查的生效

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