法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-03-18
授权
授权
2013-06-12
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/20 申请日:20130116
实质审查的生效
2013-05-15
公开
公开
机译: 极紫外光刻系统,具有检测器以检测散射在测试区域中被照射颗粒上的光源的辐射,以及用作极紫外光源的光源,用于在晶片上产生结构
机译: 极紫外光或软X射线范围的短波长光源装置,以及产生极紫外光或软X射线范围的短波长光源的方法
机译: 极紫外光源装置及靶材供应系统