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公开/公告号CN102549729B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-01-07
原文格式PDF
申请/专利权人 国家半导体公司;
申请/专利号CN201080042887.0
发明设计人 贾迈勒·拉姆达斯;
申请日2010-11-30
分类号
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人沈锦华
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 09:22:42
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-01-07
授权
2012-12-05
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20101130
实质审查的生效
2012-07-04
公开
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机译: 半导体衬底上大面积氮化镓或其他氮化物基结构的应力补偿
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