一种具有优化雪崩击穿电流路径的超结MOSFET器件

摘要

一种具有优化雪崩击穿电流路径的超结MOSFET器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在普通超结MOSFET器件的第二导电类型半导体掺杂柱区(8)中嵌入一个掺杂浓度更高的第二导电类型半导体掺杂岛区(7)，同时将金属化源极(1)做成槽型结构、并将第二导电类型半导体掺杂接触区(6)做在金属化源电极(1)两端的沟槽底部并靠近第二导电类型半导体掺杂岛区(7)。通过上述措施，能够有效改变超结MOSFET器件发生雪崩击穿时雪崩击穿电流路径，使雪崩击穿电流远离寄生BJT的基区，从而避免寄生BJT的发射极正偏造成BJT开启，从而提高了器件可靠性。