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绝缘体上碳硅-锗硅异质结1T-DRAM结构及形成方法

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摘要

本发明提供一种绝缘体上碳硅-锗硅异质结1T-DRAM结构，包括：一半导体基板、一埋氧层，所述埋氧层覆盖在半导体基板上；一P型硅层，所述P型硅层覆盖在埋氧层上，所述P型硅层上设有由STI分隔开的NMOS器件，其中所述NMOS器件中的沟道为P型锗硅。本发明与现有技术相比，形成基于P-SiGe体区+N

1. 绝缘体上碳硅-锗硅异质结1T-DRAM结构及形成方法 [P] . 中国专利： CN102446958B . 2014.11.05
2. 形成绝缘体上碳硅-锗硅异质结1T-DRAM结构的方法及形成结构 [P] . 中国专利： CN102543882A . 2012-07-04
3. Silicon-on-insulator (SOI) transistor having partial hetero source/drain junctions fabricated with high energy germanium implantation. [P] . 美国专利： US6706614B1 . 2004-03-16

机译：绝缘体上硅（SOI）晶体管具有通过高能锗注入制成的部分异质源极/漏极结。
4. Silicon-on-insulator (SOI) transistor having partial hetero source/drain junctions fabricated with high energy germanium implantation [P] . 美国专利： US6445016B1 . 2002-09-03

机译：绝缘体上硅（SOI）晶体管具有通过高能锗注入制成的部分异质源极/漏极结
5. HETEROJUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTORS USING SILICON-GERMANIUM AND SILICON-CARBON ALLOYS [P] . MY135039A . 2008-01-31

机译：硅锗和硅碳合金的异质结场效应晶体管