稳定绝缘体基半导体器件的方法及绝缘体基半导体器件

摘要

一种稳定SOI半导体器件的方法，包括以下步骤：提供SOI半导体器件，该器件由包括支撑基片的SOI衬底、在支撑基片上形成的埋置绝缘膜、在埋置绝缘膜上形成的表面半导体层、形成在表面半导体层中的源/漏区、在源/漏区之间的表面半导体层上形成的栅极构成，栅绝缘膜介于栅极和表面半导体层之间；在支撑基片和源/漏区中的一个之间施加电应力，由此在半导体表面层一侧形成抵达埋置绝缘膜的后沟道，由此至少在所述源/漏区中的一个和埋置绝缘膜一侧中的表面半导体层之间的界面附近引入捕获电位。