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一种光电衬底上的高约束波导

摘要

本发明涉及一种光学器件,所述光学器件包括位于光电衬底(如铌酸锂)上的被光耦合至光电衬底中的波导的无源高约束波导(如以富硅氮化硅材料制成)。此高约束波导结构可以实现多种光电器件,包括:定向耦合器、紧凑型抽头耦合器、折叠式光电器件、包括环形谐振腔的光电调制器、光电光栅。本发明实现的进一步应用还包括集成有光电有源波导的混合无源平面光波回路(PLC),其采用该高约束波导作为在无源与有源部件之间传递光功率的中间波导。

著录项

  • 公开/公告号CN101620296B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-05-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 JDS尤尼弗思公司;

    申请/专利号CN200810183546.X

  • 发明设计人 大卫·J.·多尔蒂;卡尔·基萨;

    申请日2008-12-18

  • 分类号G02B6/122(20060101);G02B6/42(20060101);G02F1/035(20060101);

  • 代理机构44224 广州华进联合专利商标代理有限公司;

  • 代理人郑小粤

  • 地址 美国加利福尼亚苗必达麦卡锡林荫大道430号

  • 入库时间 2022-08-23 09:18:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-12-09

    专利权的转移 IPC(主分类):G02B 6/122 登记生效日:20151120 变更前: 变更后: 申请日:20081218

    专利申请权、专利权的转移

  • 2014-05-28

    授权

    授权

  • 2011-08-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02B 6/122 申请日:20081218

    实质审查的生效

  • 2010-01-06

    公开

    公开

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