Ge growth on patterned Si substrates and Si-based Ge waveguide photodetector

摘要

摘要 以硅为主导的微电子技术在过去的半个世纪里取得了举世瞩目的成就，大力推动了信息技术的发展，然而由于硅是间接带隙材料，在1.1μm以上波段没有响应等特点使得硅难以应用在一些光通信的有源器件中。锗虽然同为间接带材料，但是在光通讯波段有较高的吸收系数，并且与成熟的CMOS工艺兼容，从而在硅基光电子器件如光电探测器、场效应管等方面受到了广泛的重视。Si基Ge波导型探测器集合了Ge的优良特性和波导结构的优势，量子效率和带宽得到有效提升，然而Si、Ge之间的晶格失配和热失配导致的高粗糙度和高位错密度一直是我们面临的挑战，限制了器件性能的提高。因此，制备晶体质量好、位错密度低的Si基Ge薄膜及研制具有...