法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-03-06
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 14/35 授权公告日:20140611 终止日期:20170209 申请日:20090209
专利权的终止
2014-06-11
授权
授权
2014-06-11
授权
授权
2010-11-24
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/35 申请日:20090209
实质审查的生效
2010-11-24
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/35 申请日:20090209
实质审查的生效
2010-08-11
公开
公开
2010-08-11
公开
公开
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机译: 产生ECR等离子体的装置以及采用相同的磁控溅射法沉积膜的装置
机译: 将基板暴露于表面微波等离子体的方法,蚀刻方法,沉积方法,表面微波等离子体产生装置,半导体基板蚀刻装置,半导体基板沉积装置和微波等离子体产生天线组件
机译: 将基板暴露于表面微波等离子体的方法,蚀刻方法,沉积方法,表面微波等离子体产生装置,半导体基板蚀刻装置,半导体基板沉积装置和微波等离子体产生天线组件