首页> 中国专利> 微波ECR等离子体辅助磁控溅射沉积装置

微波ECR等离子体辅助磁控溅射沉积装置

摘要

本发明属薄膜技术及应用领域。具体涉及一种微波ECR等离子体辅助磁控溅射沉积装置,包括磁控溅射区和ECR等离子体轰击区以及基板,ECR等离子体放电室,柱状室和环状圆盘,所述的溅射区和等离子体轰击区位于真空室夹角的两端,环状圆盘焊接在柱状室上。本发明将高活性的微波等离子体与磁控溅射技术结合起来,能克服双离子束溅射辅助沉积时溅射沉积速率低、辅助轰击效果也相对较低的缺点,可对沉积和等离子体辐照分别控制,制备高质量的薄膜。与传统方法比较本发明ECR辅助下制备的钛膜表面平整,致密,光洁。同时也能降低装置成本。

著录项

  • 公开/公告号CN101798676B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-06-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 复旦大学;

    申请/专利号CN200910046033.9

  • 发明设计人 张磊;施立群;

    申请日2009-02-09

  • 分类号

  • 代理机构上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人吴桂琴

  • 地址 200433 上海市邯郸路220号

  • 入库时间 2022-08-23 09:19:01

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-03-06

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 14/35 授权公告日:20140611 终止日期:20170209 申请日:20090209

    专利权的终止

  • 2014-06-11

    授权

    授权

  • 2014-06-11

    授权

    授权

  • 2010-11-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/35 申请日:20090209

    实质审查的生效

  • 2010-11-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/35 申请日:20090209

    实质审查的生效

  • 2010-08-11

    公开

    公开

  • 2010-08-11

    公开

    公开

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