法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-04-30
授权
授权
2011-11-23
实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 13/14 申请日:20091026
实质审查的生效
2011-09-21
公开
公开
机译: 用于选择性渗透自组装嵌段共聚物的方法,用于形成金属氧化物结构的方法,用于形成金属氧化物图案的方法以及用于对半导体结构进行图案化的方法
机译: 具有金属氧化物的自组装嵌段共聚物的选择性渗透方法,金属氧化物结构的形成方法以及包括相同结构的半导电结构
机译: 具有金属氧化物的自组装嵌段共聚物的选择性渗透方法,金属氧化物结构的形成方法以及包括相同结构的半导电结构