有具逐渐成形构造的嵌入应变引发材料的晶体管

摘要

在晶体管中，通过提供随后填入应变引发半导体合金(例如，硅/锗、硅/碳及其类似物)的逐渐成形空腔，可安置极接近沟道区的应变引发半导体合金。为此目的，可使用两个或更多有不同蚀刻性能的“用完即弃型”间隔组件以便定义对应空腔在不同的深度有不同的横向偏移。结果，即使对于精密半导体装置，仍可实现增强的均匀性，从而减少晶体管变异性。