一种在(111)型硅片表面制备纳米结构的方法

摘要

本发明涉及一种在(111)型硅片表面制备纳米结构的方法，属于纳米技术领域。其特征在于利用硅材料的各向异性湿法腐蚀特性在(111)硅片表面制备特征尺寸为纳米量级的单晶硅纳米墙结构或纳米角结构，或者结合自限制氧化工艺进一步制备截面呈倒三角形的单晶硅纳米线结构。本发明工艺简单，仅涉及常规光刻、各向异性湿法腐蚀掩膜制作、腐蚀、刻蚀工艺，可实现大规模制作，是一种方便的微纳集成工艺技术。本发明制作的纳米结构，可用于研究低维单晶硅材料结构性质，包括力学、热学、电学等性能的研究，还可以作为传感器功能结构部件，具有应用前景。