微机电系统芯片穿透硅通孔封装技术的制作工艺

摘要

本发明公开了一种微机电系统芯片穿透硅通孔封装技术的制作工艺，采用电镀和化学镀工艺，利用无氰化合物材料在金属线路和BGA焊垫的镍金属层上涂覆锡金属层来取代用氰化合物材料而涂覆的金层，并作为保护层和可焊层，由于镍金属层的隔离保护，可以有效减少锡晶须的发生，线路及BGA焊垫表面为锡层，具有优良的可焊性，既节约成本，又利于环保。