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用于去除铜的氧化物蚀刻残余物和防止铜电沉积的含水酸性制剂

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摘要

用于从Cu-双大马士革微电子结构去除铜的氧化物蚀刻残余物的高含水酸性清洁组合物，且其中该组合物防止或基本消除铜在Cu-双大马士革微电子结构上再沉积。

公开/公告号CN102177230B

专利类型发明专利
公开/公告日2014-02-19

原文格式PDF
申请/专利权人安万托特性材料股份有限公司;
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申请/专利号CN200980140203.8
发明设计人格伦.韦斯特伍德;洪性辰;金相仁;
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申请日2009-10-06
分类号C11D1/72(20060101);C11D3/02(20060101);C11D3/30(20060101);C11D3/33(20060101);C11D7/08(20060101);C11D7/32(20060101);C11D11/00(20060101);G03F7/42(20060101);H01L21/02(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人曹立莉
地址美国新泽西州
入库时间 2022-08-23 09:17:47

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-05-24

专利权的转移 IPC(主分类):C11D 1/72 登记生效日:20170505 变更前: 变更后: 申请日:20091006

专利申请权、专利权的转移
2014-02-19

授权

授权
2011-11-16

实质审查的生效 IPC(主分类):C11D 1/72 申请日:20091006

实质审查的生效
2011-09-07

公开

公开

1. 用于去除铜的氧化物蚀刻残余物和防止铜电沉积的含水酸性制剂 [P] . 中国专利： CN102177230B . 2014.02.19
2. 用于去除蚀刻残余物以过氧化物活化的金属氧酸盐为基础的制剂 [P] . 中国专利： CN101611130B . 2011.05.18
3. Copper oxide etch residue removal and, acidic cleaning composition of the aqueous for the prevention of copper electrodeposition [P] . 日本专利： JP5476388B2 . 2014-04-23

机译：用于防止铜电沉积的氧化铜蚀刻残留物的去除和酸性清洗液的水溶液
4. Aqueous acidic formulations for copper oxide etch residue removal and prevention of copper electrodeposition [P] . 美国专利： US8481472B2 . 2013-07-09

机译：水性酸性配方，用于去除氧化铜蚀刻残留物并防止铜电沉积
5. And copper oxide etch residue removal, acidic cleaning composition of aqueous for the prevention of copper electrodeposition [P] . 日本专利： JP2012505293A . 2012-03-01

机译：和氧化铜蚀刻残留物的去除，酸性清洗液的水溶液用于防止铜的电沉积