首页> 中国专利> 包含ZnO立方烷的混合物的配制剂和使用它们制备半导体ZnO层的方法

包含ZnO立方烷的混合物的配制剂和使用它们制备半导体ZnO层的方法

摘要

本发明涉及包含以下组分的配制剂:a)至少两种不同的ZnO立方烷,其中至少一种ZnO立方烷在SATP条件下以固态存在和至少一种ZnO立方烷在SATP条件下以液态存在,和b)至少一种溶剂,由这些配制剂制备半导体ZnO层的方法,所述配制剂用于制备电子元件的用途和所述电子元件本身。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-10

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C23C18/12 变更前: 变更后: 申请日:20091104

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2014-02-12

    授权

    授权

  • 2014-02-12

    授权

    授权

  • 2011-12-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C18/12 申请日:20091104

    实质审查的生效

  • 2011-12-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 18/12 申请日:20091104

    实质审查的生效

  • 2011-10-12

    公开

    公开

  • 2011-10-12

    公开

    公开

查看全部

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号