沉淀基板上的金属层的离子束处理方法

摘要

本发明涉及一种沉淀在基板(30)上的金属层(10)的离子束(100)处理方法，包括步骤：金属层(10)的厚度e_frag在0.2nm至20nm之间；离子加速电压在10kV至1000kV之间；金属层(10)的温度小于或等于T_f/3；并且每个表面单位的离子剂量选自10¹²离子/cm²至10¹⁸离子/cm²的范围，以便破碎金属层(10)，从而在基板表面上产生纳米颗粒形式的金属沉淀物(40)，其最大厚度为0.2nm至20nm和最大宽度为0.2至100nm。