高速度低功率消耗的隔离模拟互补金属氧化物半导体单元

摘要

本发明涉及一种半导体装置(100)，其具有固持PMOS装置(110、112)的N-阱区域(18)及固持NMOS装置(114、116)的P型区域(14)。装置(110)及(114)具有高阈值，且装置(112)及(116)具有低阈值。所述PMOS装置通过所述N-阱(18)与衬底(10)结隔离，且所述NMOS装置通过N型层(13)与所述衬底隔离。场氧化物区域(20)横向隔离所述PMOS装置与所述NMOS装置。所述高阈值CMOS装置(110、114)将所述低阈值CMOS装置连接到相对轨道Vdd及Vss。控制端子(121)接通所述高阈值装置以使所述低阈值装置快速切换。在备用模式中，所述高阈值装置关断且存在非常低的泄漏电流。