公开/公告号CN102703751B
专利类型发明专利
公开/公告日2013-08-21
原文格式PDF
申请/专利权人 沈阳东创贵金属材料有限公司;
申请/专利号CN201210117559.3
申请日2012-04-20
分类号
代理机构沈阳东大专利代理有限公司;
代理人李在川
地址 110015 辽宁省沈阳市和平区文化东路89号
入库时间 2022-08-23 09:15:55
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-08-21
授权
授权
2012-11-28
实质审查的生效 IPC(主分类):C22C 5/02 申请日:20120420
实质审查的生效
2012-10-03
公开
公开
机译: 用于通过磁控溅射沉积不同材料的合金,混合物或不同产物的反应层的涂覆装置具有由同心布置的局部靶材制成的靶材,每个靶材均由待沉积材料制成
机译: 用于通过磁控管的靶涂覆基板的反应磁控溅射,包括:将与磁控管相对的基板布置;通过溅射雾化靶材料;以及将溅射的靶材料沉积到基板上
机译: 用于大面积玻璃基板上的相同电流磁控溅射层的方法,靶材以及靶材的制造方法