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硅抛光片或外延片层错及位错缺陷的无损检测方法

摘要

本发明公开了一种硅抛光片或外延片层错及位错缺陷的无损检测方法,包括下述步骤:(1)设定表面颗粒测试仪的颗粒直径测试区间;(2)将待测试的抛光片或外延片放在测试台上,开始依次测试,并记录下每个区间的颗粒数据;(3)将颗粒数据进行分档,然后从颗粒多的档位开始分别对每个档位的最高值抽取一片腐蚀看缺陷,直至腐蚀到没有见缺陷的档位,记录这个档位数值为A;(4)抽测2-3片A档位的抛光片或外延片,确认未见层错及位错缺陷;(5)把A减10设定为分检层错及位错缺陷的标准;(6)检验其它的抛光片或外延片,高于标准的标为层错及位错缺陷不合格。此方法具有操作简单快速、对被测样本无损伤等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN102403248B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-09-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 河北普兴电子科技股份有限公司;

    申请/专利号CN201110375564.X

  • 发明设计人 赵丽霞;

    申请日2011-11-23

  • 分类号

  • 代理机构石家庄国为知识产权事务所;

  • 代理人米文智

  • 地址 050200 河北省石家庄市鹿泉经济开发区昌盛大街21号

  • 入库时间 2022-08-23 09:15:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-09-18

    授权

    授权

  • 2012-06-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20111123

    实质审查的生效

  • 2012-04-04

    公开

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