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公开/公告号CN102279610B
专利类型发明专利
公开/公告日2013-08-21
原文格式PDF
申请/专利权人 清华大学;
申请/专利号CN201110091565.1
发明设计人 李冬梅;苑朋朋;刘力源;王鑫;
申请日2011-04-13
分类号G05F1/56(20060101);G05F1/567(20060101);
代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人廖元秋
地址 100084 北京市海淀区清华园1号
入库时间 2022-08-23 09:15:33
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-08-21
授权
2012-02-01
实质审查的生效 IPC(主分类):G05F 1/56 申请日:20110413
实质审查的生效
2011-12-14
公开
机译: 具有亚阈值操作电路的半导体器件,该亚阈值操作电路包括基于温度范围的后体偏置电势
机译: 基于具有不同阈值电压晶体管的SCM结构的极低功耗的温度补偿参考电压系统
机译: 具有低功耗,高精度和宽温度范围的温度传感器
机译:适用于宽温度范围的低功耗,低电源,仅MOS亚阈值电压基准
机译:适用于低功耗,低压和低频应用的宽线性范围亚阈值OTA
机译:亚阈值区域内的低于1V的超低功耗全CMOS带隙基准电压源
机译:CMOS低功耗数字和模拟亚阈值温度传感器设计
机译:一种热稳定的细菌含有多糖单氧化酶在宽温度范围内具有高运行稳定性
机译:4H–SiC中的宽温度范围集成带隙基准电压源
机译:具有亚环境温度稳定性,宽工作范围和快速动态响应的铁电和电子晶体材料