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一种低功耗亚阈值全MOS管的基准电压源的设计

摘要

本发明属于模拟集成电路领域,涉及一种低功耗基准电压源电路。本电路包含基准核心电路以及启动电路。通过对工作在亚阈值区、线性区和饱和区的MOS晶体管不同电流特性的分析设计了一种低功耗全MOS基准电压源电路。通过使用工作在线性区的MOS晶体管代替普通常规电阻使整个电路实现全MOS基准源的特性,同时可以有效减小电路芯片面积;启动电路用于在电源刚上电时给整个电路提供一个启动电流,以消除简并点。与传统的基准电压源电路相比,本发明的电路不仅能达到非常低的功耗,而且具有较低的温度系数。

著录项

  • 公开/公告号CN107797601A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-03-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201610804744.8

  • 发明设计人 张国俊;张涛;

    申请日2016-09-06

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号

  • 入库时间 2023-06-19 04:45:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-31

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G05F1/565 申请公布日:20180313 申请日:20160906

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2018-03-13

    公开

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