制备电绝缘膜的方法及在通孔金属化中的应用

摘要

本发明主要涉及在导电体或半导电体衬底(如硅衬底)的表面制备电绝缘膜的方法。根据本发明，所述方法包括：(a)使所述表面与液体溶液接触，所述液体溶液包含：质子溶剂；至少一种重氮盐；至少一种单体，所述单体可发生链聚合且在所述质子溶剂中可溶；至少一种酸，所述酸的量足以通过将所述溶液的pH值调节至小于7、优选小于2.5，从而使所述重氮盐保持稳定；(b)依照电压-脉冲模式或电流-脉冲模式使所述表面极化，该脉冲模式的持续时间足以形成厚度至少为60nm、优选80-500nm的膜。应用：通孔的金属化，尤其是3D集成电路中通孔的金属化。