射频LDMOS器件中金属源衬通路的实现方法

摘要

本发明的射频LDMOS器件中金属源衬通路的实现方法，通过自对准进行源衬接触通孔的刻蚀，并将其集成在有源区和第一层金属层的接触孔形成的工艺中，只需一次金属淀积就同时形成了源衬间低阻通路与有源区和第一层金属的互联结构。本发明的实现方法，可以大大降低源衬接触通孔的宽度，提高器件的密度，增加器件的增益。且由于以金属作为源衬之间的通路，极大降低了源衬之间的电阻和有利于器件的散热，同时提高了器件的可靠性。