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低温多晶硅TFT的制作工艺

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摘要

本发明提供一种采用非晶硅TFT向多晶硅TFT转化的制作工艺，该工艺制成的多晶硅TFT特性不会降低。低温多晶硅TFT的制作工艺，在完成ITO成膜工艺后，通过氢气注入工艺对硅注入氢，对工艺过程中降低的TFT特性进行回复。本发明采用重新注入氢气，具有恢复硅的强化结合特性效果。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-06-11

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/336 授权公告日:20130717 终止日期:20180628 申请日:20100628

专利权的终止
2013-07-17

授权

授权
2013-07-17

授权

授权
2011-03-23

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/336 申请日:20100628

实质审查的生效
2011-03-23

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20100628

实质审查的生效
2011-01-26

公开

公开
2011-01-26

公开

公开

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3. MANUFACTURE METHOD OF LOW TEMPERATURE POLY-SILICON TFT SUBSTRATE AND LOW TEMPERATURE POLY-SILICON TFT SUBSTRATE [P] . 美国专利： US2018053834A1 . 2018-02-22

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5. MANUFACTURE METHOD OF LOW TEMPERATURE POLY-SILICON TFT SUBSTRATE AND LOW TEMPERATURE POLY-SILICON TFT SUBSTRATE [P] . 美国专利： US2017221929A1 . 2017-08-03

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