NAND型快闪存储器的读写方法及其相关页缓冲区

摘要

本发明揭示一包含多个存储单元的多层次单元NAND型快闪存储器元件的写入及读取方法为减少写入及读取时间。写入方法包含步骤：(a)将所有存储单元写入至一零状态；(b)切换第二存储单元的MSB将其从零状态写入至一第二状态；以及(c)切换第一存储单元的LSB将其从零状态写入至一第一状态，同时切换第三存储单元的LSB将其从第二状态写入至一第三状态。读取方法包含步骤：(d)执行一三阶段(three-phase)最低有效位读取；以及(e)执行一一阶段(one-phase)最高有效位读取。本发明还揭示一种用以执行所述写入方法及所述读取方法的页缓冲区。