抗电离或位移协同辐射损伤效应的双极型晶体管优化方法

摘要

本发明公开了一种抗电离或位移协同辐射损伤效应的双极型晶体管优化方法，涉及微电子技术领域，包括：构建辐射场模型；获取双极型晶体管受到电离损伤导致的电荷陷阱和位移损伤导致的载流子寿命变化；将双极型晶体管的电荷陷阱和载流子寿命变化导入TCAD仿真模型，分别得到电离损伤对双极型晶体管特性的影响、位移损伤对双极型晶体管特性的影响、以及电离损伤和位移损伤协同效应对双极型晶体管特性的影响；通过调整双极型晶体管的发射区周长与面积比、发射极结深、基区掺杂浓度和中性基区宽度参数，得到双极型晶体管特性的变化规律；进一步提出优化设计方案。本申请能够有效提高双极型晶体管的抗电离和位移损伤协同效应能力。