法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-09-13
授权
授权
2017-03-01
实质审查的生效 IPC(主分类):G01N23/00 申请日:20161019
实质审查的生效
2017-03-01
实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 23/00 申请日:20161019
实质审查的生效
2017-01-25
公开
公开
2017-01-25
公开
公开
机译: 测试双极型半导体器件对电离空间辐射的抵抗性的方法
机译: 基于CZ方法的冷却器配备的硅单晶硅单晶硅上拉器件,通过Dashneck方法改善了缺陷的位移,改进了基于CZ方法的硅单晶硅的上拉器件,并提供了基于COLOLE的COOL焊点,并在直径上增加了尺寸
机译: 具有减小的位移缺陷密度的晶格错位半导体结构及其相关的器件制造方法