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双极型器件电离和位移辐射损伤缺陷辨别方法

摘要

双极型器件电离和位移辐射损伤缺陷辨别方法,属于双极型器件辐射损伤缺陷辨别技术领域。所述方法包括:利用深能级瞬态谱仪对双极型器件的敏感区进行测试,在测试过程中,通过单一改变反偏电压、填充电压、测试周期或脉冲宽度,获取温度扫描测试曲线,根据温度扫描测试曲线中的信号峰,确定该双极型器件为位移缺陷或电离缺陷。在电离辐射损伤条件下,针对器件的各个敏感区进行深能级瞬态谱仪DLTS测试,利用本发明的方法在DLTS测试过程中可准确辨别位移缺陷及电离缺陷,并能定量分析测试氧化物电荷和界面态,大大减少测量双极晶体管氧化物俘获正电荷与界面态的难度。

著录项

  • 公开/公告号CN106353344B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-09-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学;

    申请/专利号CN201610911408.3

  • 发明设计人 李兴冀;刘超铭;杨剑群;马国亮;

    申请日2016-10-19

  • 分类号G01N23/00(20060101);

  • 代理机构23109 哈尔滨市松花江专利商标事务所;

  • 代理人岳昕

  • 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 入库时间 2022-08-23 10:39:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-09-13

    授权

    授权

  • 2017-03-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N23/00 申请日:20161019

    实质审查的生效

  • 2017-03-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 23/00 申请日:20161019

    实质审查的生效

  • 2017-01-25

    公开

    公开

  • 2017-01-25

    公开

    公开

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