退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN115268209A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-11-01
原文格式PDF
申请/专利权人 SKC索密思株式会社;
申请/专利号CN202210449936.7
发明设计人 李乾坤;曹河铉;申仁均;金星润;崔石荣;李亨周;金修衒;孙晟熏;郑珉交;金泰完;
申请日2022-04-26
分类号G03F1/50;
代理机构成都超凡明远知识产权代理有限公司;
代理人洪玉姬
地址 韩国京畿道
入库时间 2023-06-19 17:24:03
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-11-01
公开
发明专利申请公布
机译: 包装光掩模空白的方法,存储光掩模空白的方法,运输光掩模空白的方法和制造光掩模的方法
机译: 用于制备光掩模空白的光掩模空白方法和用于制备光掩模的方法
机译: 光掩模空白制备光掩模空白及制备光掩模的方法
机译:使用EUV光发射电子显微镜检查EUVL掩模的空白缺陷和图案化掩模
机译:掩模空白检查/检查装置N5后支持掩模基板制造
机译:使用空白检查,图案化掩模检查和晶圆检查来评估极端紫外线掩模缺陷
机译:临界EUV Photomask工艺步骤的离子束处理:掩模空白沉积和光掩模吸收器蚀刻
机译:用于光刻的DUV和EUV光掩模中非平面相和多层缺陷的快速仿真方法。
机译:SiO2球形掩模的ICP刻蚀技术制备金刚石亚微米透镜和圆柱体
机译:光掩模空白的干涉计量:
机译:光掩模空白的干涉测量计:使用633 nm波长的方法。