一种半导体碳化硅功率模块高温封装体及其封装方法

摘要

本发明提供一种半导体碳化硅功率模块高温封装体及其封装方法，涉及碳化硅功率模块封装技术领域。该半导体碳化硅功率模块高温封装体，包括下绝缘外壳和上绝缘外壳，所述下绝缘外壳上端四角处均开设有第一连接螺纹槽，所述下绝缘外壳上端两侧端部中间均开设有两个第二连接螺纹槽，所述上绝缘外壳上端四角处均开设有通孔，所述上绝缘外壳两端端部中间均开设有凹槽，两个所述凹槽下端均开设有两个定位孔。该封装体结构合理，使用方便，在封装体内部电路板下端连接有导热胶层，提高了内部电路板的散热效果，使封装体使用时间更长，更加耐老化，且该封装体的导电性能更好，使用效果也更好。